使用纳米工艺技术进行设计，尤其是在高级节点（28nm及以下）上，需要许多其他的库视图，以便获得高质量的硅并避免由于不正确的签收分析而导致硅重新旋转。为了管理泄漏功率，通常要使电池具有低、典型和高阈值电压（SVT，LVT，HVT等），每个电压具有不同的功率和性能特征。

 

为了对特定于实例的电压变化或温度梯度进行准确建模，至关重要的是在多个电压和多个温度下表征每个存储库，从而增加存储库转角的总数。对于最先进的工艺，提供替代的单元库变得越来越普遍，而单元库却以面积和性能为代价提高了产量。结果，创建和维护所有这些库视图已成为设计流程中的主要瓶颈。

 

Cadence公司提供集中于Cadence库特征化流程®的Virtuoso ®特征分析套件。该套件提供了用于表征和验证基础知识产权（IP）的业界最完整，最强大的解决方案-从标准单元，I / O和复杂的多位单元到存储器和混合信号块。Cadence的获得专利的Inside View技术通过提高库吞吐量并确保IP的时序，功耗，噪声和统计范围而提供了与硅更好的关联性。炫技特征分析套件还集成了Cadence幽灵®电路仿真，行业标准的SPICE仿真器，与先进节点库所需的准确度提供更大的吞吐量。